突破！SK海力士开发出全球最高规格HBM3E

来源：面包芯语
时间：2023-08-22 22:24:09

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英伟达Hyperscale和HPC部门副总裁伊恩·巴克（Ian Buck）表示：

英伟达为了最先进加速计算解决方案(Accelerated Computing Solutions)所应用的HBM，与SK海力士进行了长期的合作。为展示新一代AI计算，期待两家公司在HBM3E领域的持续合作。

SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示：

公司通过HBM3E，在AI技术发展的同时备受瞩目的HBM市场中有效提升了产品阵容的完成度，并进一步夯实了市场主导权。今后随着高附加值产品HBM的供应比重持续加大，经营业绩反弹趋势也将随之加速。

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。

* MR-MUF：将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。

** 向后兼容性（Backward compatibility）：指在配置为与旧版产品可兼容的IT/计算系统内，无需另行修改或变更即可直接使用新产品。例如，对CPU或GPU企业，如果半导体存储器新产品具有向后兼容性，则无需进行基于新产品的设计变更等，具有可直接使用现有CPU/GPU的优点。

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